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英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

发布时间:20-02-17

2≠020年美Ж光三星等公︹︺︻司会σ推出新一〒代的DDR5内存,最高速率可达6400Mbps,将逐步取代DDR4内存⿶。现在的DRAMз内存技术还在升级,但是技У术瓶颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代И技术,英国就找到了新方向——全新内存延迟可低至10ns,功耗仅有▄现在1%。

多年来人们一直在︱︳寻求г完♀美的&ζldquo;内存”芯片,它既需要低延迟、高带―宽┎,也要功耗低(不需要频繁∫刷新),同时还得容量大,成本低,更重要的是具备断电↖不损失数据的特性,可以说是NAND闪存及DRAM内存的∴完美体。〩

这么多要求,做▂▃▅▆█起来可真不容易,Intel的傲腾内存是基于PCM相变内存技术的ⓥ,在可靠性、延迟┆┇等问题上已经大幅领先现在的闪存,∣更接近DRAM内存芯片了,不过超″越内存┘☆还达不到。

日前外媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型的“内存”,它使用的是III-V族材料,主要是InAs砷化Υ铟和AlSb锑化铝,用▫这些材料制成的N☑VDRAM非易失性内存具备优秀的特⊙性,在同样的性能下开关能量低了┝100倍〣,也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%,同时延迟可低至10ns。

总之,Ⅱ这种新型材料制成的♦内存芯片具备三大特性&Σmdash;&mda╤sh;超低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能Ц相○比现在∽的DRAM内存倒是※没多大提升,10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多,但是〨︵上面三条特性,尤其是非易失性就足够让“¤内存”革命了。

不过也≤没法高兴太早,英国研发人员现在只◈☆是找到了新⿵一代III-V材料内存的理论方向,真正大规模制造这种内存还是没影卍的事,就像是◘像传了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一样。

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